技术参数
| 品牌： | ST |
| 型号： | STS9NF30L |
| 封装： | SOP-8 |
| 批次： | 20+ |
| 数量： | 960 |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC |
| 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况： | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
| 湿气敏感性等级 （MSL）： | 1（无限） |
| 详细描述： | 表面贴装型-N-通道-30V-9A（Tc）-2.5W（Tc）-8-SO |
| 数据列表： | STS9NF30L; |
| 标准包装： | 2,500 |
| 包装： | 标准卷带 |
| 零件状态： | 停產 |
| 类别： | 分立半导体产品 |
| 产品族： | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 |
| 系列： | STripFET™ II |
| 其它名称： | 497-3234-2 |
| FET 类型： | N 通道 |
| 技术： | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）： | 30V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： | 9A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： | 5V，10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： | 20 毫欧 @ 4.5A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： | 12.5nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值）： | ±18V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： | 730pF @ 25V |
| FET 功能： | - |
| 功率耗散（最大值）： | 2.5W（Tc） |
| 工作温度： | 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装： | 8-SO |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
